“As instalações mais avançadas do mundo”: a aposta da Intel para devolver liderança de chips aos EUA

A Intel não está apenas fabricando chips no Arizona*, nos Estados Unidos. Está fabricando uma narrativa geopolítica: a de que a manufatura avançada de semicondutores pode — e deve — voltar para o solo norte-americano. A empresa anunciou que a Fab 52 está operacional desde julho e já iniciou produção em alto volume do processo 18A.

“Nossa Fab 52 aqui no Arizona está totalmente operacional. Começamos a produção em 18A e manufatura de alto volume”, anunciou Kevin O’Buckley, vice-presidente sênior e gerente-geral dos Foundry Services da Intel. “A Intel Foundry está em produção no único processo de classe de dois nanômetros que foi desenvolvido e será manufaturado aqui nos Estados Unidos“.

A prova tangível veio nas mãos do executivo, que citou o Panther Lake como o produto colocado em produção completa na Fab 52. O Panther Lake, voltado para Client & Edge, é o primeiro chip em alto volume de produção a utilizar o nó avançado Intel 18A e a tecnologia de empacotamento Foveros-S. Este chip é o sucessor do Lunar Lake e está previsto para chegar ao mercado no final de 2025 e início de 2026.

Desafiando a narrativa do declínio com manufatura

Chris Auth, vice-presidente e diretor de Advanced Transistor Development na Intel, foi direto ao confrontar o ceticismo. “Provavelmente o ponto-chave aqui é que essas são as instalações semicondutoras mais avançadas, não apenas nos EUA, mas no mundo”, declarou ao apresentar o processo 18A.

“Deixe-me apenas garantir que vocês entendam isso. Essas são as instalações semicondutoras mais avançadas do mundo. Tem a tecnologia de transistor mais avançada com RibbonFET e a tecnologia de interconexão mais avançada com PowerVia, e este é o ponto onde preciso de ajuda de todos vocês para garantir que essa mensagem seja disseminada”, enfatizou Auth.

A mensagem é política e técnica. “Porque há uma narrativa de que não fazemos manufatura de tecnologia semicondutora avançada nos Estados Unidos, mas aqui estamos fazendo isso em dois estados, nos EUA, e ambas essas fábricas estão escalando para manufatura de alto volume em 2025“, afirmou.

Leia também: Intel recebe US$ 5,7 bilhões em acordo com governo Trump; Casa Branca diz que detalhes ainda estão em negociação

Inovações em processo: RibbonFET e PowerVia

A tecnologia que roda na Fab 52 representa uma ruptura. Segundo os executivos, o Intel 18A é o primeiro nó de foundry do mundo a integrar as duas inovações.

O RibbonFET é a tecnologia gate-all-around da Intel, onde o gate envolve completamente lâminas de silício. Isso garante controle superior do gate e permite escalabilidade.

A PowerVia é a primeira entrega de energia pelo lado traseiro da wafer a entrar em produção de alto volume. Os ganhos são substanciais: ela permite até 10% mais densidade e utilização de célula, e reduz a perda de energia (IR drop) do pacote para o transistor em até 30%. Além disso, o PowerVia permite o uso de camadas de metal inferiores otimizadas para custo com impressão direta em camadas iniciais de interconexão, o que resulta em uma redução de 44% na contagem de máscaras e 42% na contagem de etapas (em comparação com o Intel 18A sem PowerVia).

Performance, empacotamento e manufatura

Os ganhos de performance são significativos, com o conjunto RibbonFET + PowerVia fornecendo mais de 15% de melhoria no desempenho por watt (perf/w) (vs. Intel 3). Além disso, há mais de 25% de redução de energia em iso-desempenho (vs. Intel 3) e escalonamento de área com 1.3x a densidade de chip (vs. Intel 3).

Navid Shahriari, vice-presidente-executivo responsável por empacotamento avançado da companhia, destacou que o Clearwater Forest (plataforma data center) é o primeiro produto em alto volume a usar o Foveros Direct. O Foveros Direct emprega bonding híbrido cobre-a-cobre com pitch de 9 microns. É o interconector die-to-die de maior densidade (bump density=10.000/mm2) e menor energia, com consumo de $<0.05\text{ pJ/bit}$. Shahriari também afirmou ter inventado o known good die (KGD) mais eficiente, com teste de die singulado. Essa capacidade permite executar todo o conteúdo de teste no nível do die antes da montagem no pacote, o que demonstra um ganho de rendimento de 1.5% em relação ao KGD padrão em pacotes avançados.

A tecnologia de ponta está sendo pesquisada, desenvolvida e construída nos Estados Unidos, com o p&d de processo de silício em Hillsboro, Oregon, e a produção em alto volume no Arizona. Apesar de estar no deserto, o local de Ocotillo é fornecido por 100% de energia renovável e a empresa está focada em ser net-positive em água e reduzir o desperdício.

O’Buckley encerrou com um compromisso. “Somos a primeira empresa combinando transistores gate-all-around e tecnologias de energia backside, os primeiros na indústria”. “Confiança não é sobre eu ficar aqui e apontar para uma wafer e dizer: olhe, conseguimos. Você confia em nós quando pode entrar em sua loja favorita e comprar um produto que está usando essas tecnologias. Não confie em nós até que você possa fazer isso”, afirmou. Com duas fábricas em dois estados nos Estados Unidos rodando o que eles chamam de “processo mais avançado do mundo”, a Intel fez sua aposta.

*A jornalista viajou a convite da Intel

Siga o IT Forum no LinkedIn e fique por dentro de todas as notícias!