Todos nós sabemos que processadores aquecem, e quanto mais rápidos eles são mais aquecem, o que torna a busca pelo poder máximo de processamento uma luta incessante combatendo o excesso de calor.
O primeiro processador de 90 nanômetros, o Pentium 4 com núcleo “Prescott” sofria muito com o excesso de dissipação térmica, muito superior ao seu antecessor “Northwood” de 130 nanômetros, quando se esperava justamente o contrário. Parte do problema é o fenômeno conhecido como “leakage” ou simplesmente vazamento de corrente. Os espaços são tão pequenos e a velocidade da comutação dos transistores tão grande que alguns elétrons “vazam” para o isolante, aquecendo o componente sem gerar potência de processamento algum. Isso ocorre quase que no nível da molécula, e as soluções são difíceis, mas conhecidas.
O segredo está em criar em pontos isolantes mais fortes através do uso de compostos complexos, não vamos entrar em detalhes agora, até porque o mestre B.Piropo já os detalhou brilhantemente em suas colunas, mas isso vem ocorrendo gradualmente até mesmo no Pentium 4 “Prescott” em produção, que atualmente esquenta bem menos do que os primeiros modelos. No caso da Intel, a melhor solução será incorporada na próxima geração de processadores já em 65 nanômetros, utilizando técnicas ainda melhores.
A AMD por sua vez demorou em migrar para o processo de 90 nanômetros, fazendo isso apenas recentemente, e mesmo assim enfrentando os mesmos problemas de dissipação térmica e baixa freqüência máxima operacional. Um artigo meu sobre a primeira geração de 90 nanômetros (Winchester) pode ser vista sob o título
Exclusivo: Overclock com Athlon64 3500+ de 90 nanômetros
Agora, com o núcleo “Venice” também de 90 nanômetros, os problemas térmicos e a capacidade de operar em altas freqüências parecem estar definitivamente resolvidos com o uso de uma solução mista entre o SOI (Silicon On Insulator) e o Strained Silicon (silício esticado), com o nome de Dual Stress Liner (DSL) Technology. De forma resumida, os isolantes formam uma molécula mais adequada para prevenir o vazamento de elétrons nos transistores, assim consegue-se menos dissipação térmica e conseqüentemente maior freqüência de operação.
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